终于～～！！我们看见了这个隐藏在多重菜单后面的神秘功能

　　第三步操作流程:修改磁头数和排列位置

　　终于到了最重要的一步了，这里请大家注意仔细看文章，一定会有很多收获的。下面我给出详细的操作流程图片：

　　磁头数和磁头位置配置详细说明:

　　这里请大家看看，图片中的那个 Set heads quantity：4 这行是显示现有的物理磁头数量，我们可以手动修改成自己需要的数字，但是这个数字 不能小于1不能大于可用的物理磁头总数 因为这样的数字范围都是毫无意义的，修改完毕磁头数量后回车一下，会自动跳到最后一行因为第二行是不能修改的，只是用来显示当前的NV-RAM里面的磁头排列位置。最后一行 New sequence ： 0 1 2 3 * * * * * * 这行是可以修改的，它的作用是让你输入新的磁头排列位置，那么我们应该怎么输入呢？因为原先检测过之后，我们发现最后一个磁头是不稳定的，所以我们需要屏蔽最后一个磁头，修改完成了物理磁头数量之后，如果在不想更改磁头排列位置的情况就可以直接回车了，大概的原理是这样的：如果数值变小的话，而且用户没有把磁头的排列给修改成相对应的排列位置的话，那么系统就会自动把最后的磁头开始屏蔽，也就是说，如果磁头比原先少了1个就会自动屏蔽最后一个磁头，如果少了2个就会自动屏蔽最后的2个磁头。当然，我们也可以自己修改，那么该如何做呢？是否有什么规律呢？当然有啦～～！！比如，我们已经把磁头数改成了3个那么我们该怎么来修改磁头排列位置呢？可以这样修改如果打算把最后一个磁头给屏蔽掉，可以改成这个样子的 New sequence ： 0 1 2 2 这里我们用标号为2的磁头来填补了原先那个磁头的空缺，这样就可以了。在接着会下面这些画面，大体的意思就是会生成一个LDR文件和一个LDL文件，让你取一个名字并保存文件。

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