一台配置如下的电脑：P4 2.0 GHz CPU、精英P4VXASD主板、Geforce3 Ti200

　　显卡、希捷60 GB硬盘、HY DDR266 128MB内存、SAMSUNG 17英寸液晶显

　　示器。原来运行正常，最近对CMOS设置进行优化，然后开机无任何反应。偶

　　尔可以进入操作系统，但运行不稳定，经常死机。

　　分 析

　　一定是COMS中的参数设置错误引起的。

　　排除过程

　　确定故障产生原因后，排除故障的过程如下。

　　(1)反复开机，直到按Delete键进入CMOS，仔细检查影响电脑启动的项目。

　　(2)进入Advanced Chipset Setting选项组，检查内存相关设置时发现CASLatency参数值

　　被设置为CL=2。虽然这样在理论上可以提高内存的读写速度，但目前DDR内存的CL值大

　　多为2.5。

　　(3)将内存的CL值改为2.5，保存设置后退出CMOS设置。再次开机后顺利启动，运行

　　Flash MX及Photoshop等多个程序都没有问题，故障排除。

　　提示

　　如果实在不能确定是哪个选项引起的故障，可以选择Load BIOS Default Setup选项并按

　　下Enter键。然后按Y键，将BIOS设置恢复默认，保存设置后一般也可以解决问题。

　　启 示

　　CAS Latency的参数值是根据内存条的技术规范而定的，盲目地将其设置为更小的数据

　　会导致内存工作不正常，甚至无法启动系统。

　　提示

　　PC133 SDRAM和DDR266 SDRAM的工作频率都为133 MHz，不同之处在于DDR在工

　　作时钟周期的上升沿和下降沿都可以传输数据，因此其性能接近266 MHz的普通SDRAM。

　　目前市场上的PC133 SDRAM的CL值一般为3，符合DDR266标准的DDR SDRAM的CL

　　值一般为2.5。

　　CAS是指Column Address Strobe(列地址选通控制器)，CAS Latency(简写CL)是指“列地

　　址控制器延迟”。简单地说就是内存读写数据时，从CPU发出读写命令到CAS信号被激活所

　　间隔的时钟脉冲周期。值越小，内存的读写速度就越快。