3.场效应管的分类和结构:

　　FET根据门极结构分为如下两大类。其结构如所示:

　　面结型FET（简化为JFET） 门极绝缘型FET(简化为MOS FET)

　　. FET的结构

　　各种结构的FET均有门极、源极、漏极3个端子，将这些与双极性晶体管的各端子对应如表1所示。

　　FET

　　双极性晶体管

　　漏极

　　集电极

　　门极

　　基极

　　源极

　　发射极

　　JFET是由漏极与源极间形成电流通道（channel）的p型或n型半导体，与门极形成pn结的结构。

　　另外，门极绝缘型FET是通道部分（Semicoductor）上形成薄的氧化膜（Oxide），并且在其上形成门极用金属薄膜（Metal）的结构。从制造门极结构材质按其字头顺序称为MOS FET。

　　根据JFET、MOS FET的通道部分的半导体是p型或是n型分别有p沟道元件，n沟道元件两种类型。

　　均为n沟道型结构图。

　　4.场效应管的传输特性和输出特性:

　　JFET的特性例(n沟道)

　　从所示的n沟道JFET的特性例来看，让VGS 有很小的变化就可控制ID 很大变化的情况是可以理解的。采用JFET设计放大器电路中，VGS 与ID 的关系即传输特性是最重要的，其次将就传输特性以怎样方式表示加以说明。

　　传输特性

　　这个传输特性包括JFET本身的结构参数，例如沟道部分的杂质浓度和载体移动性，以致形状、尺寸等，作为很麻烦的解析结果可导出如下公式（公式的推导略去）

　　10.4.1

　　作为放大器的通常用法是VGS 、VGS (off) < 0（n沟道），VGS 、VGS (off) >0（p沟道）。式(10.4.1)用起来比较困难，多用近似的公式表示如下

　　将此式就VGS 改写则得下式

　　上(10.4.2) 下(10.4.3)

　　若说式(10.4.2)是作为JFET的解析结果推导出来的，不如说与实际的JFET的特性或者式(10.4.1)很一致的作为实验公式来考虑好些。表示式(10.4.1)、式(10.4.2)及实际的JFET的正规化传输特性，即以ID /IDSS为纵坐标，VGS /VGS (off) 为横坐标的传输特性。n沟道的JFET在VGS < 0的范围使用时，因VGS(off) < 0，VGS /VGS(off) >0，但在上考虑与实际的传输特性比较方便起见，将原点向左方向作为正方向。但在设计半导体电路时，需要使用方便且尽可能简单的近似式或实验式。

　　传输特性相当于双极性晶体管的VBE -IE特性，但VBE -IE 特性是与高频用、低频用、功率放大用等用途及品种无关几乎是同一的。与此相反，JFET时，例如即使同一品种IDSS、VGS(off)的数值有很大差异，传输特性按各产品也不同。